CMPにおいてスクラッチ（傷）が発生する主な原因はどれか。

2026年4月22日

スラリー中の粒子の凝集や異物がウェーハ表面を傷つける。

銅配線を形成する際に用いられる「ダマシン法」の特徴はどれか。

CMOS回路を構成する素子の組み合わせはどれか。