半導体素子の「IGBT」に関する説明として、正しいものはどれか。

2026年4月30日

MOSFETの高速性とバイポーラトランジスタの低オン抵抗を併せ持った素子である。

10Ωの抵抗に5Aの電流が2分間流れたとき、発生する熱量（ジュール熱）は何Jか。

騒音規制法において、建設工事に伴って発生する騒音の基準値（指定地域内）は一般的に何デシベルか。