半導体検出器において、逆方向バイアス電圧Vを印加したときの空乏層の幅dはどうなるか。

妊娠中の胎児被ばく(妊娠8〜15週)による重度の精神発達遅滞の発生について、ICRPが推定しているしきい線量は約どれくらいか。