HOMELv037 半導体検出器において、入射放射線のエネルギーEと生成されるキャリア数nの関係を表す式はどれか(εは1対生成平均エネルギー)。 2026年5月1日 生成されるキャリア対の数nは、付与された全エネルギーEを1対作るのに必要なエネルギーεで割った値となる。 放射線被ばくによって生じる遺伝子突然変異の中で、塩基配列が1つだけ別の塩基に置き換わる変異を何というか。 オートラジオグラフィに用いる原子核乾板(写真乳剤)に含まれ、放射線と相互作用して潜像を形成する主な化合物はどれか。