HOMELv011 半導体のpn接合における空乏層容量（接合容量）Cjは、逆バイアス電圧Vrに対してどのような依存性を持つか（階段接合の場合）。 2026年5月13日 階段接合の場合、空乏層幅Wは√(Vr)に比例して広がり、容量Cj = εS/W であるため、Cjは√(Vr)に反比例する（正確にはバイアス電圧Vに対して (Vbi – V)^(-1/2) の依存性）。 高圧受電設備において、地絡方向継電器（DGR）を設置する場合、零相電圧と零相電流の位相関係で動作判定を行うが、完全地絡時の零相電圧に対する零相電流（充電電流補償なし）の位相は一般的にどうなるか。 地中送電線のシース循環電流損を低減するために採用される「クロスボンド接地方式」において、通常行われる接地区間の分割数はいくつか（1ユニットあたり）。
