HOMELv034 スイッチング素子のターンオフ時に発生するサージ電圧(跳ね返り電圧)を吸収し、素子を保護するための回路はどれか。 2026年1月24日 スイッチング時の急激な電圧変化(サージ)を抑制・吸収する保護回路 パワー半導体の比較において、IGBTがMOSFETよりも適している用途はどれか。 電源ラインに乗るコモンモードノイズ(同相ノイズ)を除去するために有効なフィルタ部品はどれか。