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半導体製品製造技能士 2級 (学科)

「半導体製品製造技能士 2級 (学科)」の記事一覧

金属不純物をウェーハ裏面などに捕獲する技術を何というか。

素子形成領域から有害な不純物を遠ざけて無害化する技術である。

2026年4月22日

シリコンエピタキシャル成長におけるミスフィット転位の原因はどれか。

基板と成長層の結晶格子の大きさが異なると界面に転位が生じる。

2026年4月22日

セルフバイアス（自己バイアス）が発生する場所はどれか。

高周波印加によりカソード付近に負の直流電位が発生する。

2026年4月22日

ペリクルの主な役割はどれか。

マスク表面から離れた位置に薄膜を張りゴミが焦点に合わないようにする。

2026年4月22日

有効質量とは何を表現するための概念か。

結晶内での周期的なポテンシャルの影響を質量に反映させたものである。

2026年4月22日

平均自由行程とはどのような距離か。

粒子が他の粒子と衝突するまでに進む距離の平均値である。

2026年4月22日

Cp（工程能力指数）が1.33以上であることの意味はどれか。

Cpが1.33以上であれば工程能力は十分であると判断される。

2026年4月22日

ボロン注入における「トランジェント拡散」の原因はどれか。

注入時に生じた点欠陥が熱処理中に不純物の拡散を促進する。

2026年4月22日

フリップチップ実装のメリットはどれか。

チップを反転させて直接接続するため配線抵抗や寄生容量を減らせる。

2026年4月22日

プラズマCVDの熱CVDに対する利点はどれか。

プラズマのエネルギーを利用するため基板温度を低く抑えられる。

2026年4月22日