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非破壊試験技術者 (NDI) ひずみゲージ (ST) レベル1

「非破壊試験技術者 (NDI) ひずみゲージ (ST) レベル1」の記事一覧

半導体ひずみゲージの特徴として正しいものはどれか。

半導体ゲージは金属ゲージの数十倍のゲージ率（約100～200）を持つ。

2026年5月30日

1軸応力状態で、鋼（E=206GPa）に100MPaの応力が生じている時のひずみ（×10^-6）はいくらか。

ε = σ / E = 100 * 10^6 / (206 * 10^9) ≒ 485 * 10^-6 である。

2026年5月30日

商用電源（50/60Hz）からの誘導ノイズを軽減するために有効な方法はどれか。

シールド層を一点で接地することで静電誘導によるノイズを排出できる。

2026年5月30日

ひずみ測定器において、ブリッジ回路に供給される電圧を何と呼ぶか。

ブリッジを動作させるために外部から印加する電圧である。

2026年5月30日

ひずみゲージの仕様書にある「許容ひずみ」とは何を指すか。

許容ひずみを超えるとゲージの断線や塑性変形が発生する。

2026年5月30日

3線式結線を採用する主な目的はどれか。

3線式にすることでリード線の抵抗変化をブリッジ内で相殺できる。

2026年5月30日

ひずみゲージを接着する際、被試験体の表面処理として最初に行うべき作業はどれか。

接着強度を高めるために、まずはサンドペーパー等で表面を適度に粗くする。

2026年5月30日

自己温度補償ゲージ（SELCOMゲージ）が補償対象としている現象はどれか。

試験体とゲージの熱膨張差および受感部の抵抗温度係数を組み合わせて熱出力を抑えている。

2026年5月30日

ホイートストンブリッジで4辺の抵抗がすべてRのとき、1辺がΔR変化した際の出力電圧eは入力電圧Eを用いてどう表されるか。

1ゲージ法におけるブリッジ出力電圧は抵抗変化率の1/4に比例する。

2026年5月30日

ひずみゲージの受感部（グリッド）を保護し、絶縁を保つ層を何と呼ぶか。

受感部は絶縁体であるベースの上に形成されている。

2026年5月30日