HOMELv011 半導体検出器の空乏層を広げるための条件は。 2026年5月1日 逆方向バイアス電圧をかけることでキャリアのない空乏層が広がる。 確定的影響の重症度と線量の関係を示すモデルは。 ウランの濃縮度とは何に対する何の割合か。