半導体検出器において、入射放射線のエネルギーEと生成されるキャリア数nの関係を表す式はどれか(εは1対生成平均エネルギー)。

生成されるキャリア対の数nは、付与された全エネルギーEを1対作るのに必要なエネルギーεで割った値となる。