半導体検出器において、放射線のエネルギー測定を妨げる「リーク電流」を最小限にするために採用される構造はどれか。

逆方向バイアスを印加したダイオード構造にすることで、キャリアのない空乏層を広げつつ暗電流(リーク電流)を抑える。