パワーエレクトロニクス素子であるIGBTの特徴として、誤っているものはどれか。

IGBTはMOSFETの高速性とバイポーラトランジスタの高耐圧・低オン電圧特性を兼ね備えており、一般に同クラスの高耐圧MOSFETと比較してオン電圧は低い（伝導変調効果による）。