HOMELv003 半導体検出器において空乏層を広げるためにかける電圧はどれか。 2026年5月20日 半導体検出器では逆バイアス電圧を印加することで空乏層を形成し感度領域とする。 特性X線のエネルギーは何によって決定されるか。 DNAの二重鎖切断に最も関与する直接作用を引き起こす粒子はどれか。