パワーエレクトロニクス素子のうち、電圧駆動型で、高速スイッチングが可能だがオン抵抗が比較的高い素子はどれか。

MOSFETはユニポーラデバイスであり、高速動作が可能だが、高耐圧化するとオン抵抗が増加する傾向がある（IGBTは大電流向きだがMOSFETより遅い）。