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半導体製品製造技能士 2級 (学科)

「半導体製品製造技能士 2級 (学科)」の記事一覧

プラズマエッチングで特定の膜だけを削る性能を何というか。

下地やマスクに対するエッチング速度の比を選択比と呼ぶ。

2026年4月22日

チャネリング現象が発生しやすい条件はどれか。

原子の隙間をイオンが通り抜けて深く入ってしまう現象である。

2026年4月22日

スパッタリングで膜の均一性を高めるために行う操作はどれか。

基板を自公転させることでウェーハ全面の膜厚を均一にする。

2026年4月22日

ターボ分子ポンプが最も効率よく排気できる流れの状態はどれか。

ターボ分子ポンプは分子同士の衝突が少ない分子流領域で機能する。

2026年4月22日

光の回折によりパターンがぼける現象を防ぐために用いるマスクはどれか。

位相シフトマスクは光の干渉を利用して解像度を向上させる。

2026年4月22日

nチャネルMOSFETにおいて反転層が形成される条件はどれか。

ゲートに閾値以上の電圧をかけると表面に電子の反転層ができる。

2026年4月22日

製品の電気的特性を測るために針を当てる装置はどれか。

プローバはチップ上の電極に針を接触させ導通を確認する。

2026年4月22日

投影飛程（Rp）が意味するものはどれか。

投影飛程は注入されたイオンの分布のピーク深さを指す。

2026年4月22日

多層配線において上下の配線をつなぐ接続穴を何というか。

異なる層の配線間を垂直に接続する穴をビアと呼ぶ。

2026年4月22日

プラズマ中のラジカルが主に寄与するエッチング作用はどれか。

中性のラジカルは表面と化学反応を起こして物質を揮発させる。

2026年4月22日